芯片高低溫老化試驗箱

一、芯片高低溫老化試驗箱可程式定義說明

可程式是針對定值試而言的，可程式高低溫試驗箱的具體表現為，可對試驗程序進行編程，以便在試驗的進程中，通過編程的控制，來對試驗進行自動化運作。

比如：客戶是做LED背光源的，需要進行的試驗程序為，80℃高溫條件下進行8個小時的試驗，-40℃的低溫環境下進行4個小時的試驗，再進行90℃的高溫環境下進行4個小時的試驗，要滿足上述的多項試驗要求，而且是在不間斷的情況下進行試驗，就可在試驗運行開始之前，在高低溫試驗箱的控制器上進行試驗程序編程，高低溫試驗箱會根據試驗程序，進行精確的試驗。

二、芯片高低溫老化試驗箱性能：

指氣冷式在室溫20℃，空載時

規格型號：HE-WS-80/100/150/225/408/800/1000（A、B、C、D、E）

容量：

80升內箱尺寸（寬*高*深）：400X500X400mm

150升內箱尺寸（寬*高*深）：500X600X500mm

225升內箱尺寸（寬*高*深）：600X750X500mm

408升內箱尺寸（寬*高*深）：600X850X800mm

800升內箱尺寸（寬*高*深）：1000X1000X800mm

1000升內箱尺寸（寬*高*深）：1000X1000X1000mm

溫度范圍：

A表示：0℃～+150℃，B表示：-20℃～+150℃，C表示：-40℃～+150℃，

D表示：-60℃～+150℃，E表示：-70℃～+150℃

溫度精度：±0.01℃

溫度波動度：±0.5℃

溫度均勻度：±2.0℃

濕度范圍：20%RH～98%RH

濕度精度：±0.1%R.H

濕度波動度：±2.0%R.H.

濕度均勻度：±3%R.H.

升溫速率：平均3℃/min（非線性、空載時；從常溫+25℃升至+85℃約20min）；可按要求定制非標規格

降溫速度：平均1℃/min（非線性、空載時；從常溫+25℃降至-40℃約65min）；可按要求定制非標規格

三、使用注意事項：

1.在操作當中，除非有必要，請不要打開箱門，否則可能導致不良的后果。

2.請注意本機必須安全確實接地，以免產生靜電感應。

3.避免于五分鐘內關閉再開啟冷凍機組。

4.如果箱內放置發熱試品時，試品電源控制請使用外加電源，不要直接使用本機電源。放入高溫試料作低溫試驗時應注意：開啟箱門的時間要盡可能的短。

5.電路斷路器、超溫保護器，提供本機測試品以及操作者的安全保護，故請定期檢查。

6.禁止試驗爆炸性，可燃性及高腐蝕性物質。

7.照明燈除必要時打開外，其余時間應關閉。

8.在做低溫前，應將工作室擦干，60℃時烘干1小時。

9.做高溫試驗時，當溫度超過55℃以上的情況下，切忌不可開啟冷機。

10.請詳細閱讀說明書，方可操作本機。